＜关断操作过程中的漏-源电压波形比较＞

随着开关损耗的减小，输出电荷损耗的相对重要性增加。为此，东芝发布了第9代U-MOSIX-H沟槽MOSFET系列，该系列采用新工艺，将提供远低于上一系列的输出电荷损耗。

东芝的低压功率MOSFET非常适用于提高能源效率和减小尺寸的各种应用。东芝提供广泛的MOSFET选项，方便您选择最适合您应用需求的选项。

• 新的U-MOSⅨ-H系列

  U-MOSⅨ-H系列专门设计用于同步整流应用，包括二级隔离开关电源。它改进了Qoss^*1性能，该性能是同步整流功率损耗的原因之一。U-MOSⅨ-H系列相比于其他半导体供应商^*2所提供的最新产品，其R_on•Q_oss降低了27%，实现了导通电阻（R_on）和Q_oss之间的平衡。因为Ron对于Qoss具有重要影响，所以东芝将通过采用超低R_on的MOSFET扩大U-MOSⅨ-H产品组合，以便扩充U-MOSⅧ-H系列的产品阵容。

◆典型MOSFET（V_DSS=100V）的品质因数比较

TPH3R70APL：U-MOSⅨ-H、V_DSS=100V、R_DS(ON)max= 3.7mΩ at V_GS=10V、SOP Advance

R_DS（ON）：导通电阻（传导导通损耗的品质因数）            截止于2018年1月的东芝调查。
Q_g：栅极电荷（驱动损耗的品质因数）
Q_sw：G栅极开关电荷（开关损耗的品质因数）
Q_oss：输出电荷（输出电荷损耗的品质因数）

◆MOSFET系列（V_DSS=100V）的应用举例以及应用系统中的MOSFET性能比较

凭借其卓越的速度，U-MOSIX-H系列的100-V MOSFET适用于各种应用，包括DC-DC转换器、服务器电源、适配器、电机、微型逆变器和充电器。全桥DC-DC转换器举例如下所示。以下内容对东芝的100-V U-MOSIX-H MOSFET和另一家公司的MOSFET效率和初级侧MOSFET器件温度进行了比较。如下图所示，东芝的U-MOSIX-H系列有助于降低MOSFET器件温度和提高DC-DC转换器的功率效率。

＜全桥DC-DC转换器效率和MOSFET器件温度的比较＞

2）V_DSS ≦60V

第9代U-MOSIX-H系列相比于第8代MOSFET系列，采用进一步优化的单元结构和更小的工艺几何制造而成，所以具有更低的开关和驱动损耗。因此，该U-MOSIX-H系列提供更低的输出电荷和开关损耗，这对于电源和电机驱动应用非常重要。

◆典型MOSFET（V_DSS=60V）的品质因数比较

TPH1R306PL：U-MOSⅨ-H、V_DSS=60V、R_DS（ON）max=1.34mΩ at V_GS=10V、SOP Advance

R_DS（ON）：导通电阻（导通损耗的品质因数）           截止于2018年1月的东芝调查。
Q_g：栅极电荷（驱动损耗的品质因数）
Q_sw：栅极开关电荷（开关损耗的品质因数）
Q_oss：输出电荷（输出电荷损耗的品质因数）

◆MOSFET系列（V_DSS=60V）的应用举例以及应用系统中的MOSFET性能比较

除了100-V MOSFET之外，U-MOSⅨ-H系列的60-V MOSFET适用于各种应用，包括通信设备和基站AC-DC电源，的次级侧、通信设备用DC-DC转换器、服务器电源、电机、微型逆变器。与100-V MOSFET一样，U-MOSIX-H系列的60-V MOSFET有助于降低MOSFET器件的温度和改进全桥DC-DC转换器的功率效率。

3）宽结温，存储温度范围高达175°C

U-MOSIX-H系列的MOSFET（包括V_DSS=30V）能保证其结温高达175℃，存储温度范围为-55°C至175°C。

Comparison of Coverage of the U-MOSVIII-H and U-MOSIX-H Series

^*1：输出电荷（漏-源电荷）

^*2：当比较相同封装的40V MOSFET时（截止于2014年12月的东芝调查）

• U-MOSⅧ-H系列

  U-MOSⅧ-H系列提供业内广泛的低导通电阻MOSFET产品组合，实现了低导通电阻和电容之间的最佳平衡。凭借其快速操作的特性，U-MOSⅧ-H系列有助于降低开关损耗，这就实现了电源效率的增加。U-MOSⅧ-H系列可提供的V_DSS为30至250V，且采用多种封装，包括具有双面冷却功能的先进封装形式。

• 低驱动电压和低Ron

  东芝采用业界先进的工艺， U-MOSⅧ-H系列能提供低的导通电阻，即使在低压驱动条件下。因此，随着系统供电电压的降低，U-MOSⅧ-H系列能降低系统功耗。

U-MOSⅧ-H和U-MOSⅨ-H系列相比于其它系列，可提供更广泛的R_（DS）ON和V_DSS，从而能满足各种应用需求。