东芝元器件

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二极管: 东芝提供广泛的二极管产品组合，包括应用于高速信号线路的高速、低损耗肖特基二极管（SBD）和ESD保护二极管。我们采用碳化硅（SiC）为原料进行制造，因为SiC SBD能提供高击穿电压，这是使用硅（Si）SBD所不能企及的。所以SiC SBD特别适合于低损耗、高效功率转换的应用，比如服务器电源和太阳能功率调节器。
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MOSFET: 东芝提供采用各种电路配置和封装的低VDSS和中／高VDSS MOSFET产品组合，其特点是高速度、高性能、低损耗、低导通电阻、小封装等。东芝拥有几十年的MOSFET开发和制造经验。其主要产品包括VDSS为500V~800V的中高压DTMOS IV系列，VDSS为12V~250V的低电压UMOS系列。
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IGBT／IEGT: 绝缘栅双极晶体管（IGBT）和栅极注入增强型晶体管（IEGT）是通过与MOSFET相同的方式控制栅极和发射极之间的电压，接通和关断集电极和发射极之间电源的器件。东芝IGBT和IEGT可以用于家用电器及基础设施的各种应用。
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Part Number	Description	Package	View
1SS421	30 V/0.2 A Schottky Barrier Diode, SOD-523(ESC)	ESC	了解详情
1SS420	30 V/0.2 A Schottky Barrier Diode, SOD-523(ESC)	ESC	了解详情
1SS391	10 V/0.1 A Schottky Barrier Diode, SOT-24(SMQ)	SMQ	了解详情
1SS388	40 V/0.1 A Schottky Barrier Diode, SOD-523(ESC)	ESC	了解详情
1SS357	40 V/0.1 A Schottky Barrier Diode, SOD-323(USC)	USC	了解详情
TRS8A65F	650 V/8 A SiC Schottky Barrier Diode, TO-220F-2L	TO-220F-2L	了解详情
TRS6A65F	650 V/6 A SiC Schottky Barrier Diode, TO-220F-2L	TO-220F-2L	了解详情
TRS4A65F	650 V/4 A SiC Schottky Barrier Diode, TO-220F-2L	TO-220F-2L	了解详情
TRS24N65FB	650 V/24 A SiC Schottky Barrier Diode, TO-247	TO-247	了解详情
TRS20N65FB	650 V/20 A SiC Schottky Barrier Diode, TO-247	TO-247	了解详情
TRS16N65FB	650 V/16 A SiC Schottky Barrier Diode, TO-247	TO-247	了解详情
TRS12N65FB	650 V/12 A SiC Schottky Barrier Diode, TO-247	TO-247	了解详情
TRS12E65F	650 V/12 A SiC Schottky Barrier Diode, TO-220-2L	TO-220-2L	了解详情
TRS12A65F	650 V/12 A SiC Schottky Barrier Diode, TO-220F-2L	TO-220F-2L	了解详情
TRS10A65F	650 V/10 A SiC Schottky Barrier Diode, TO-220F-2L	TO-220F-2L	了解详情
TLP705AF			了解详情
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TLP155E			了解详情
TLP2451A			了解详情
TLP351AF			了解详情
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TLP5701New Product			了解详情
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