东芝提供广泛的二极管产品组合，包括应用于高速信号线路的高速、低损耗肖特基二极管（SBD）和ESD保护二极管。 我们采用碳化硅（SiC）为原料进行制造，因为SiC SBD能提供高击穿电压，这是使用硅（Si）SBD所不能企及的。所以SiC SBD特别适合于低损耗、高效功率转换的应用，比如服务器电源和太阳能功率调节器。

东芝提供采用各种电路配置和封装的低VDSS和中／高VDSS MOSFET产品组合，其特点是高速度、高性能、低损耗、低导通电阻、小封装等。 东芝拥有几十年的MOSFET开发和制造经验。其主要产品包括VDSS为500V~800V的中高压DTMOS IV系列，VDSS为12V~250V的低电压UMOS系列。

绝缘栅双极晶体管（IGBT）和栅极注入增强型晶体管（IEGT）是通过与MOSFET相同的方式控制栅极和发射极之间的电压，接通和关断集电极和发射极之间电源的器件。 东芝IGBT和IEGT可以用于家用电器及基础设施的各种应用。

封装及包装信息

产品命名规则