二极管
东芝提供广泛的二极管产品组合，包括应用于高速信号线路的高速、低损耗肖特基二极管（SBD）和ESD保护二极管。
我们采用碳化硅（SiC）为原料进行制造，因为SiC SBD能提供高击穿电压，这是使用硅（Si）SBD所不能企及的。所以SiC SBD特别适合于低损耗、高效功率转换的应用，比如服务器电源和太阳能功率调节器。
- SiC肖特基势垒二极管
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东芝提供650V碳化硅肖特基势垒二极管（SiC SBD），其额定电流为2A至10A。
详细信息
- 肖特基势垒二极管
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详细信息
- TVS二极管（ESD保护二极管）
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东芝提供小封装的ESD保护二极管，用于保护各种接口。我们的TVS二极管采用特殊的工艺技术制造，具有很高的静电放电耐受性。
详细信息
- 整流二极管
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详细信息
- 开关二极管
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详细信息
- 齐纳二极管
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详细信息
| Part Number |
Description |
Package |
View |
| 1SS388 |
40 V/0.1 A Schottky Barrier Diode, SOD-523(ESC) |
ESC |
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| 1SS357 |
40 V/0.1 A Schottky Barrier Diode, SOD-323(USC) |
USC |
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| TRS8A65F |
650 V/8 A SiC Schottky Barrier Diode, TO-220F-2L |
TO-220F-2L |
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| TRS6A65F |
650 V/6 A SiC Schottky Barrier Diode, TO-220F-2L |
TO-220F-2L |
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| TRS4A65F |
650 V/4 A SiC Schottky Barrier Diode, TO-220F-2L |
TO-220F-2L |
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| TRS24N65FB |
650 V/24 A SiC Schottky Barrier Diode, TO-247 |
TO-247 |
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| TRS20N65FB |
650 V/20 A SiC Schottky Barrier Diode, TO-247 |
TO-247 |
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| TRS16N65FB |
650 V/16 A SiC Schottky Barrier Diode, TO-247 |
TO-247 |
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| TRS12N65FB |
650 V/12 A SiC Schottky Barrier Diode, TO-247 |
TO-247 |
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| TRS12E65F |
650 V/12 A SiC Schottky Barrier Diode, TO-220-2L |
TO-220-2L |
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| TRS12A65F |
650 V/12 A SiC Schottky Barrier Diode, TO-220F-2L |
TO-220F-2L |
了解详情 |
| TRS10A65F |
650 V/10 A SiC Schottky Barrier Diode, TO-220F-2L |
TO-220F-2L |
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| CRZ39 |
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| CRZ36 |
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| CRZ33 |
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| CRZ30 |
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| CRZ27 |
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| CRZ24 |
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| CRZ20 |
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| CRZ18 |
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| CRZ16 |
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| CRZ15 |
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| CRZ13 |
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| CRZ12 |
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| CRZ10 |
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| CRY82 |
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| CRY68 |
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| CRY62 |
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| CMZB82 |
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| CMZB75 |
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